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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2153T100V由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2153T100V价格参考¥1.89-¥2.72。ROHM Semiconductor2SD2153T100V封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD2153T100V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD2153T100V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为2SD2153-T100V的晶体管,属于双极型晶体管(BJT)中的NPN型晶体管。该器件具有较高的耐压特性,最大集电极-发射极电压(VCEO)为100V,适用于需要中功率放大或开关功能的电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理与DC-DC转换器:作为开关元件用于控制电流流动,实现电压升降压功能。 2. 电机驱动电路:在小型电机或风扇控制中用作驱动开关,具备一定的负载承受能力。 3. 继电器与电磁阀驱动:用于控制高电压或大电流负载的通断,保护主控芯片免受高压冲击。 4. 音频放大器前级:适合中低频信号的放大处理,用于音响设备或工业控制系统中。 5. 工业自动化控制:如PLC模块、传感器信号调理等场景,提供稳定可靠的开关与放大功能。 该晶体管采用小型表面贴装封装(如SOT-89),适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制及车载电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 25V 2A SOT-89两极晶体管 - BJT NPN 25V 2A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2153T100V- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD2153T100V |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 20mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 820 @ 500mA,6V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SD2153T100VCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 110 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 1800 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 820 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.12 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 110MHz |