Datasheet下载- 型号： BD442G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BD442G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD442G价格参考￥1.13-￥1.15。ON SemiconductorBD442G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BD442G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD442G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BD442G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款PNP型双极性晶体管（BJT），常用于中功率开关和放大电路。其应用场景主要包括： 1. 电源管理与开关电路：BD442G可用于电源控制电路中，作为开关元件，适用于需要较高电流承载能力的场合。 2. 电机驱动：该晶体管适合用于小型电机或继电器的驱动电路中，作为功率放大或开关使用。 3. 音频放大器：由于其良好的线性特性，BD442G也可应用于音频放大电路中的输出级或驱动级。 4. 工业控制设备：在工业自动化系统中，该器件可作为负载开关或信号放大元件，用于控制指示灯、小型风扇、电磁阀等设备。 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备、充电器等产品中的电源转换和控制电路。 BD442G具有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO达40V），最大集电极电流可达6A，适合中高功率应用。此外，其封装形式（TO-220）便于散热，适用于多种通用和中等功率电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 80V 4A BIPO TO-225AA两极晶体管 - BJT 4A 80V 36W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BD442G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BD442G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 800mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 500mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-225-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 36 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
| 系列 | BD442 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.8 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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