Datasheet下载- 型号： IRF7402PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7402PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7402PBF价格参考。International RectifierIRF7402PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7402PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7402PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7402PBF 是一款P沟道增强型MOSFET，属于FET（场效应晶体管）中的MOSFET单管产品。该器件常用于电源管理和开关应用中，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等优点。 IRF7402PBF 典型的应用场景包括： 1. 电源开关电路：适用于DC-DC转换器、电源管理模块中的负载开关，实现对电源通断的高效控制。 2. 电池供电设备：广泛应用于笔记本电脑、移动设备、便携式仪器等，用于电池反接保护或电源切换，提升系统安全性。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中作为控制开关，配合N沟道MOSFET构成H桥或半桥结构。 4. 消费类电子产品：如智能家居设备、充电器、LED驱动电源中，用于电压调节和功率开关功能。 5. 工业控制：在PLC模块、传感器电源控制等工业环境中，实现低功耗、高可靠性的开关操作。 由于其采用先进的工艺制造，IRF7402PBF 具备优良的抗雪崩能力和高可靠性，适合在较宽温度范围内稳定工作。此外，该型号为环保型（Pb-free），符合RoHS标准，适用于对环保要求较高的产品设计。 综上，IRF7402PBF 是一款高性能P沟道MOSFET，主要应用于中小功率的电源开关、电池管理及工业控制等领域，是现代电子设备中实现高效能功率控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOICMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 14nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7402PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7402PBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4.1A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 6.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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