Datasheet下载- 型号： SPP07N60S5
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPP07N60S5由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP07N60S5价格参考￥12.41-￥19.41。InfineonSPP07N60S5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPP07N60S5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPP07N60S5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的SPP07N60S5是一款高性能的高压超级结MOSFET，属于晶体管中的N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有600V的漏源击穿电压和7A的连续漏极电流能力，采用先进的Superjunction（超级结）技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优异的热稳定性。 SPP07N60S5主要应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中。典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器电源、通信电源和工业电源模块中，实现高效的AC-DC或DC-DC转换。 2. PFC电路（功率因数校正）：在升压式PFC拓扑中作为主开关器件，提升电能利用率，满足能效标准（如Energy Star、80 PLUS）。 3. 照明电源：适用于大功率LED驱动电源，提供稳定高效的直流输出。 4. 家电变频系统：如变频空调、洗衣机等设备中的辅助电源或小功率逆变单元。 5. 工业与消费类电源适配器：用于高密度、高效率电源设计，支持小型化与节能需求。 该器件封装为TO-220，便于散热和安装，适合通孔焊接，广泛用于对可靠性要求较高的工业和消费电子领域。凭借其出色的性能，SPP07N60S5在提升系统效率、降低温升和优化整体设计方面具有显著优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220ABMOSFET COOL MOS N-CH 600V 7.3A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP07N60S5CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPP_I07N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c81144713 |
| 产品型号 | SPP07N60S5 |
| Pd-PowerDissipation | 82 W |
| Pd-功率耗散 | 82 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 350µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 970pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | SP000012115 |
| 典型关闭延迟时间 | 170 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Tc） |
| 系列 | xPP07N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000012115 SPP07N60S5HKSA1 |
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