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Datasheet下载- 型号： FDS6930B
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6930B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6930B价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6930B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6930B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6930B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6930B是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款MOSFET阵列晶体管。该型号属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景中。以下是FDS6930B的主要应用场景： 1. 电源管理： FDS6930B适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和负载开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机控制： 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关性能，支持精确的速度和方向控制。 3. 电池保护与充电电路： 在便携式设备（如手机、平板电脑等）的电池管理系统中，FDS6930B可用作充放电路径的开关，确保电池安全并优化充电效率。 4. 信号切换： 在音频设备、数据通信和其他需要信号切换的应用中，FDS6930B可作为高性能的模拟开关，实现低失真和快速响应。 5. 消费电子设备： 包括笔记本电脑、数码相机、游戏机等在内的消费电子产品中，FDS6930B常用于电源开关、背光驱动和其他需要高效功率管理的功能模块。 6. 工业自动化： 在工业领域，该器件可用于传感器接口、继电器替代以及小型执行器的驱动，帮助实现更紧凑的设计和更高的可靠性。 7. 汽车电子： 虽然FDS6930B并非专为汽车级设计，但在非关键车载应用（如车内照明、娱乐系统等）中，它也可以发挥重要作用。 FDS6930B以其高集成度、小封装尺寸和优异的电气性能，成为众多低功耗、高效能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOICMOSFET SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6930BPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6930B |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 412pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6930BDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A |
| 系列 | FDS6930 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FDS6930B_NL |
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