Datasheet下载- 型号： CSD87333Q3DT
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87333Q3DT由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87333Q3DT价格参考。Texas InstrumentsCSD87333Q3DT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD87333Q3DT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD87333Q3DT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD87333Q3DT是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款双通道N沟道MOSFET阵列，属于DrMOS器件，集成了驱动器与功率MOSFET，适用于高效率、高密度的同步降压转换应用。该器件广泛应用于对空间和能效要求较高的电源系统中。 典型应用场景包括： 1. 服务器与通信设备电源：用于CPU、GPU或ASIC的多相电压调节模块（VRM），提供大电流、低电压供电，具备高效散热与紧凑设计优势。 2. 工业自动化系统：在PLC、电机控制或工业电源中作为DC-DC转换核心，支持稳定可靠的电源管理。 3. 笔记本电脑与高端主板：用于核心处理器供电电路，满足动态负载变化下的快速响应需求。 4. 电信与网络设备：如交换机、路由器中的中间总线转换器，实现高效能量传输。 CSD87333Q3DT采用SON 3.3mm × 3.3mm封装，具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的热性能和高开关频率能力，有助于减少外围元件数量、提升整体效率并缩小PCB占用面积。其集成驱动设计降低了布局复杂度，提高了系统可靠性，特别适合高频、高功率密度的同步整流应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，5V 驱动 |
| FET类型 | 2 N 沟道（非对称桥） |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD87333Q3DT |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 662pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.3 毫欧 @ 4A， 8V |
| 供应商器件封装 | 8-SON（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 296-37794-2 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87333Q3DT |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN |
| 标准包装 | 250 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A |
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