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Datasheet下载- 型号： IXFH58N20Q
- 制造商： IXYS
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IXFH58N20Q产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH58N20Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH58N20Q价格参考。IXYSIXFH58N20Q封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）。您可以下载IXFH58N20Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH58N20Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH58N20Q是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），具有200V耐压、58A大电流和低导通电阻特性。该器件广泛应用于需要高效开关和高功率处理能力的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC变换器，适用于工业电源、通信电源等，因其高效率和快速开关性能，有助于减小系统体积并提升能效。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或伺服系统的驱动电路中，IXFH58N20Q可作为主开关元件，提供稳定可靠的控制能力，常见于工业自动化设备与电动工具中。 3. 逆变器系统：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等，实现直流到交流的高效转换，其高耐压和热稳定性适合恶劣工作环境。 4. 电焊机与电力电子装置：在高频电焊设备中承担大电流开关任务，具备良好的热性能和耐用性。 5. 汽车电子：部分车载电源管理系统或辅助电机控制中也有应用，尤其适用于高可靠性要求的场景。 该MOSFET采用TO-247封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。其优化的栅极设计降低了开关损耗，提升了整体系统效率。综合来看，IXFH58N20Q适用于工业控制、能源转换、电力电子及汽车电子等领域的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFH58N20Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 29A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 58A （Tc） |
