Datasheet下载- 型号： IRFS3107PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3107PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3107PBF价格参考￥39.94-￥39.94。International RectifierIRFS3107PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS3107PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS3107PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFS3107PBF 是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个N沟道MOSFET器件。它广泛应用于需要高效功率开关的电子系统中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，用于提高能效和减小电源体积，常见于服务器、通信设备和工业电源中。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机或无刷电机驱动电路中作为开关元件，广泛用于工业自动化、机器人和电动工具中。 3. 负载开关与继电器替代：用于高可靠性场合，如汽车电子和工业控制系统中，替代传统机械继电器，实现快速、低损耗的开关操作。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中用于电能转换，提供稳定的交流输出。 5. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统等，用于能量转换与功率调节，满足绿色能源系统对高效率和高可靠性的需求。 该器件具有低导通电阻、高耐压（100V）、高电流承载能力（连续漏极电流可达74A）等特点，适合高频、高效率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAKMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 160nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 230 A |
| Id-连续漏极电流 | 230 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3107PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3107PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 370 W |
| Pd-功率耗散 | 370 W |
| Qg-GateCharge | 160 nC |
| Qg-栅极电荷 | 160 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9370pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 140A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 370W |
| 功率耗散 | 370 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 230 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 195A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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