Datasheet下载- 型号： SI1032R-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1032R-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1032R-T1-GE3价格参考。VishaySI1032R-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1032R-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1032R-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1032R-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，常用于低电压、低功耗的电源管理与开关控制场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、小封装（如SOT-23）和高可靠性，适用于便携式电子设备和空间受限的应用。 主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电源开关或负载开关，实现对子系统的上电/断电控制，降低待机功耗。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器、LDO后级或反向电流阻断电路中用作理想二极管或高端/低端开关，提高能效。 3. 热插拔与电源排序：在多电源系统中用于控制不同模块的供电时序，防止浪涌电流。 4. 信号开关与逻辑控制：可用于模拟开关或数字控制路径中的电平切换。 5. 消费类电子产品：如蓝牙耳机、移动电源、智能家居传感器等，因其小型化和低功耗特性而备受青睐。 SI1032R-T1-GE3 支持低栅极阈值电压，可直接由3.3V或1.8V逻辑信号驱动，兼容现代微控制器输出，简化设计。其高集成度和稳定性使其成为替代机械开关或通用晶体管的理想选择，在提升系统效率的同时减小PCB占用面积。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75AMOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 140 mA |
| Id-连续漏极电流 | 140 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1032R-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1032R-T1-GE3SI1032R-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-75A |
| 其它名称 | SI1032R-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75A |
| 封装/箱体 | SC-75A-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 140mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI1032R-GE3 |
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