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  • 型号: BUK965R4-40E,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK965R4-40E,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK965R4-40E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK965R4-40E,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK965R4-40E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK965R4-40E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BUK965R4-40E,118 是一款高性能的N沟道MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和高效率特性,适用于多种电源管理和功率转换场景。

其主要应用场景包括:便携式电子设备的电源管理、电池供电系统(如移动电源、电动工具)、DC-DC转换器(如降压/升压变换器)、电机驱动电路以及负载开关应用。由于其40V的漏源电压和高电流承载能力,BUK965R4-40E特别适合在中等功率条件下实现高效能切换,有助于降低能耗和发热。

此外,该MOSFET还广泛用于消费类电子产品(如智能手机、平板电脑)、工业控制模块和汽车电子系统(如车载充电、车身控制模块),在需要高可靠性与紧凑设计的场合表现优异。其符合RoHS标准的小型封装(如LFPAK或D2PAK)有利于节省PCB空间并提升热性能。

综上所述,BUK965R4-40E,118是一款适用于高效率、高密度电源设计的理想选择,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK965R4-40E,118

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4483pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33.9nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.4 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9891-1

功率-最大值

137W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

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