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产品简介:
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FQD10N20CTM_F080 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 该型号的 MOSFET 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。 - 可用于电池充电电路中作为开关元件,控制电流流向和充电速率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,FQD10N20CTM_F080 可用作功率开关,实现电机的启停、调速和方向控制。 - 其额定电压为 200V,适合中高压电机驱动应用。 3. 负载切换 - 用于电子设备中的负载切换功能,例如汽车电子、家用电器和工业设备中的负载通断控制。 - 在汽车电子领域,可作为继电器替代方案,用于灯光控制、风扇控制等。 4. 逆变器和变频器 - 该 MOSFET 可用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等设备。 - 在变频器应用中,可用于调整输出频率和电压,以控制电机速度。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护和过温保护电路中,FQD10N20CTM_F080 可作为关键开关元件,确保系统安全运行。 - 其快速开关特性和低功耗使其非常适合此类应用。 6. 音频放大器 - 在 Class D 音频放大器中,该 MOSFET 可用作开关元件,提供高效的音频信号放大。 7. 照明控制 - 用于 LED 照明驱动电路中,控制电流以调节亮度,并支持调光功能。 总结 FQD10N20CTM_F080 的高耐压(200V)、低导通电阻(典型值为 0.4Ω)以及快速开关特性,使其成为多种电力电子应用的理想选择。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能提供可靠的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD10N20CTM_F080 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 3.9A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.8A (Tc) |