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  • 型号: FQD10N20CTM_F080
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD10N20CTM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD10N20CTM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM_F080封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD10N20CTM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD10N20CTM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD10N20CTM_F080 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 该型号的 MOSFET 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。
   - 可用于电池充电电路中作为开关元件,控制电流流向和充电速率。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中,FQD10N20CTM_F080 可用作功率开关,实现电机的启停、调速和方向控制。
   - 其额定电压为 200V,适合中高压电机驱动应用。

 3. 负载切换
   - 用于电子设备中的负载切换功能,例如汽车电子、家用电器和工业设备中的负载通断控制。
   - 在汽车电子领域,可作为继电器替代方案,用于灯光控制、风扇控制等。

 4. 逆变器和变频器
   - 该 MOSFET 可用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等设备。
   - 在变频器应用中,可用于调整输出频率和电压,以控制电机速度。

 5. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护和过温保护电路中,FQD10N20CTM_F080 可作为关键开关元件,确保系统安全运行。
   - 其快速开关特性和低功耗使其非常适合此类应用。

 6. 音频放大器
   - 在 Class D 音频放大器中,该 MOSFET 可用作开关元件,提供高效的音频信号放大。

 7. 照明控制
   - 用于 LED 照明驱动电路中,控制电流以调节亮度,并支持调光功能。

 总结
FQD10N20CTM_F080 的高耐压(200V)、低导通电阻(典型值为 0.4Ω)以及快速开关特性,使其成为多种电力电子应用的理想选择。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能提供可靠的性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQD10N20CTM_F080

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

510pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

360 毫欧 @ 3.9A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

50W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.8A (Tc)

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