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- 型号： STD8NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD8NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD8NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTD8NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD8NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD8NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STD8NM60ND 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，属于晶体管中的 MOSFET 单管类别。该器件耐压高达 600V，连续漏极电流可达 7.5A（25°C），具备低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高电压的电源转换场景。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、适配器、充电器等中高功率开关电源中，作为主开关管实现高效电能转换。 2. 照明系统：适用于电子镇流器、LED 驱动电源及 HID 灯具驱动电路，支持高频工作，提升照明系统效率。 3. 电机控制：在小型工业电机、家用电器（如风扇、洗衣机）的驱动电路中，用于 PWM 调速与功率控制。 4. 逆变器设备：应用于太阳能微逆变器、UPS 不间断电源等系统，承担直流到交流的转换功能。 5. 消费类电子产品：如电视、显示器的电源模块中，提供稳定可靠的高压开关能力。 STD8NM60ND 采用先进的 STripFET 技术，具有较低的栅极电荷和导通损耗，有助于提升系统能效并减少散热需求。其封装形式为 TO-220FP 或类似，便于安装于散热片上，适用于紧凑型高功率密度设计。综合来看，该器件适合对效率、可靠性和空间布局有较高要求的中高电压功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A DPAKMOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp FDMesh |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD8NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD8NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 590 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 590 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-8775-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF214874?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 590 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
| 系列 | STD8NM60ND |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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