Datasheet下载- 型号： FQPF33N10L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF33N10L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF33N10L价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF33N10L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF33N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF33N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）生产的FQPF33N10L是一款N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于多种电力电子领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：FQPF33N10L的低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 直流-直流转换器：在降压或升压转换器中，该MOSFET可用作主开关或同步整流器件，提高效率并减少热量损耗。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于家用电器、工业设备和消费电子产品中的小型直流电机驱动电路。 - H桥和半桥电路：用于实现电机的正反转控制或速度调节。 3. 负载开关 - 在便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）中，作为负载开关以实现高效的电源分配和保护功能。 4. 电池管理系统（BMS） - 用于电池充放电路径的控制，确保电池安全运行并防止过流、短路等问题。 5. 信号切换 - 在通信设备或音频系统中，用作信号切换开关，提供低插入损耗和高隔离性能。 6. 汽车电子 - 车身控制模块：例如车窗升降器、雨刷控制系统等需要高效功率开关的应用。 - LED照明驱动：为汽车内部和外部LED灯提供稳定的电流驱动。 7. 工业自动化 - 传感器接口：用于工业传感器的供电和信号处理。 - 继电器替代：由于其快速响应时间和长寿命，可以替代传统机械继电器。 8. 消费类电子产品 - 打印机和扫描仪：用于步进电机驱动或其他功率控制需求。 - 游戏机和显示器：作为电源管理或背光驱动的一部分。 总结 FQPF33N10L凭借其出色的电气特性和可靠性，在需要高效功率开关的场景中表现出色。它适用于从消费电子到工业设备再到汽车电子的各种应用领域，是设计工程师的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220FMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF33N10LQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF33N10L |
| Pd-PowerDissipation | 41 W |
| Pd-功率耗散 | 41 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 470 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1630pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | FQPF33N10L-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | FQPF33N10L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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