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产品简介:
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NTD85N02R-001 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关等电源管理系统,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高效率。 2. 电机控制:常用于直流电机驱动电路中,作为高速开关控制电机启停或调速,适合工业自动化和电动工具应用。 3. 电池供电设备:由于其低功耗特性,适用于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源开关和负载管理。 4. 照明系统:用于LED照明驱动电路,作为开关元件实现高效调光和恒流控制。 5. 汽车电子:可用于车载电源系统、车灯控制模块等场景,满足车载环境中对可靠性和效率的要求。 6. 工业控制:在PLC、继电器替代、工业电机控制等场景中,作为高效、快速开关使用。 该MOSFET采用DPAK封装,便于散热和安装,适用于中高功率应用场景。设计时需注意其最大工作电压(20V)、电流(85A)和功耗限制,确保在安全工作范围内使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD85N02R-001 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.7nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.2 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | NTD85N02R-001OS |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 24V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 85A (Tc) |