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Datasheet下载- 型号： IRFR3910PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3910PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3910PBF价格参考。International RectifierIRFR3910PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR3910PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3910PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFR3910PBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IRFR3910PBF适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力使其成为高效能开关的理想选择，广泛用于计算机电源、适配器和工业电源中。 2. 电机驱动 该型号可用于中小型电机驱动应用，例如家用电器（如风扇、水泵）、电动工具和自动化设备中的电机控制。其快速开关特性和低损耗特性有助于提高系统的效率和可靠性。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRFR3910PBF可以作为开关元件，将直流电转换为交流电。其耐压能力和低功耗特性非常适合此类应用。 4. 负载开关 由于其出色的导通特性和低漏电流，IRFR3910PBF可作为负载开关使用，用于控制电路中不同负载的开启和关闭，常见于消费电子和工业设备中。 5. 电池管理 在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于保护电路，实现过流保护、短路保护和充放电控制等功能。其耐用性和稳定性确保了电池的安全运行。 6. 继电器替代 IRFR3910PBF可以用作固态继电器的替代品，提供更长的使用寿命和更高的可靠性，同时减少机械继电器的噪音和磨损问题。 7. 汽车电子 在汽车领域，该MOSFET可用于车身控制模块、灯光控制系统、电动车窗以及座椅调节等应用中，满足汽车环境对可靠性和耐用性的严格要求。 总结 IRFR3910PBF凭借其优秀的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用场合，尤其是在需要高效能开关和低功耗的场景中表现突出。其典型参数（如Vds = 100V，Id = 28A，Rds(on) = 0.085Ω）使其成为许多中低压应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 16A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3910PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR3910PBF |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 29.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 115 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 115 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 115 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 79W |
| 功率耗散 | 52 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 115 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 29.3 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr3910.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr3910.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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