Datasheet下载- 型号： IRFR3708TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3708TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3708TRLPBF价格参考。International RectifierIRFR3708TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR3708TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3708TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFR3708TRLPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，具体为单个MOSFET器件。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - IRFR3708TRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于高效能的电源管理电路。 - 应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、降压/升压电路等。 2. 电机驱动 - 由于其出色的开关特性和低损耗特性，该型号常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。 - 可应用于家用电器（如风扇、水泵）、工业自动化设备以及消费电子产品的电机控制。 3. 负载开关 - 在需要快速切换负载的电路中，IRFR3708TRLPBF可用作负载开关，提供高效的电流传输和保护功能。 - 例如，在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中，用于管理电池与负载之间的连接。 4. 信号放大与缓冲 - 该MOSFET可以用于信号放大或缓冲电路中，特别是在需要高输入阻抗和低输出阻抗的应用场合。 - 常见于音频设备、传感器信号调理电路等。 5. 逆变器和太阳能系统 - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，IRFR3708TRLPBF可用于功率级电路，实现高效的能量转换。 - 其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高整体效率。 6. 汽车电子 - 该型号符合车规级应用的要求，可应用于汽车电子中的各种电路，如车窗升降器、雨刷控制器、LED照明驱动等。 - 特别适合对可靠性和效率要求较高的车载环境。 7. 保护电路 - IRFR3708TRLPBF可以用作过流保护或短路保护开关，确保电路在异常情况下安全运行。 - 常见于充电器、适配器和其他电力相关设备中。 总结 IRFR3708TRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、信号放大、逆变器、汽车电子以及保护电路等领域。其低导通电阻和高效率使其成为许多高性能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 61A DPAKMOSFET MOSFT 30V 61A 12.5mOhm 24nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 61 A |
| Id-连续漏极电流 | 61 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3708TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR3708TRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 87 W |
| Pd-功率耗散 | 87 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2417pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 87W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 61A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru3708.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru3708.spi |
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