Datasheet下载- 型号： NE662M04-T2-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE662M04-T2-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE662M04-T2-A价格参考。CELNE662M04-T2-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE662M04-T2-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE662M04-T2-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE662M04-T2-A是一款由CEL（California Eastern Laboratories）生产的射频双极结型晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大和混频等高频应用。该器件特别适用于需要高性能和稳定性的无线通信系统。 其典型应用场景包括： 1. 无线通信设备：如蜂窝基站、无线接入点和微波通信系统，用于射频信号的放大和处理。 2. 低噪声放大器（LNA）：在接收端前端用于放大微弱信号，同时保持低噪声系数。 3. 混频器电路：用于频率转换，在收发信机中实现上变频或下变频功能。 4. 功率放大器驱动级：作为多级放大器中的前级驱动，提供足够的信号增益以驱动后级功率放大器。 5. 测试与测量设备：如频谱分析仪和信号发生器中的关键射频组件。 该晶体管具有良好的高频特性、高增益和良好的线性度，适合工作在几百MHz至数GHz的频率范围，广泛应用于工业级通信系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE662M04-T2-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 5mA，2V |
| 供应商器件封装 | M04 |
| 其它名称 | NE662M04-T2-ACT |
| 功率-最大值 | 115mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| 增益 | 20dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 3.3V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 35mA |
| 频率-跃迁 | 25GHz |
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