【未分类_BLF3G21-6,112】封装/厂家_BLF3G21-6,112中文资料_价格

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型号： BLF3G21-6,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF3G21-6,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF3G21-6,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF3G21-6,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF3G21-6,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF3G21-6,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF3G21-6,112 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，专为高频射频应用设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - 该器件适用于射频功率放大器的设计，用于提高无线通信信号的强度。其高频率特性和高效性能使其适合于广播、卫星通信和其他高频系统。

 2. 无线通信设备
   - 在基站、中继站和其他无线通信设备中，BLF3G21-6,112 可用于增强信号传输距离和质量。它支持多种通信标准，如 GSM、CDMA 和 LTE。

 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段（例如 2.4GHz 和 5.8GHz），这款射频 MOSFET 可用于微波加热、等离子体生成和其他需要高频能量的应用。

 4. 雷达系统
   - 由于其出色的射频性能，BLF3G21-6,112 可用于雷达系统的发射机部分，提供高增益和高效率的信号放大。

 5. 广播和电视传输
   - 在广播电视领域，该器件可用于信号放大，确保信号覆盖范围更广且失真更低。

 6. 测试与测量设备
   - 在实验室或生产环境中，射频测试仪器可能需要高性能的功率放大器，BLF3G21-6,112 可作为关键组件。

 特性总结：
- 频率范围：适用于高频射频应用。
- 高效率：在射频功率放大中表现出色。
- 可靠性：适合长时间运行的工业级应用。

总之，BLF3G21-6,112 是一款针对射频功率放大需求设计的高性能 MOSFET，广泛应用于通信、广播、雷达和 ISM 等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF3G21-6,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
产品目录绘图
供应商器件封装	2-CDIP
其它名称	568-2398 934058477112 BLF3G21-6 BLF3G21-6-ND
功率-输出	6W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	15.5dB
封装/外壳	SOT-538A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	90mA
频率	2GHz
额定电流	2.3A