Datasheet下载- 型号： BLF7G21L-160P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G21L-160P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G21L-160P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G21L-160P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G21L-160P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G21L-160P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLF7G21L-170P（注：型号应为BLF7G21LS-160P或类似，可能存在输入误差）是一款高功率硅基LDMOS射频晶体管，属于MOSFET类别，专为高频、高效率射频功率放大设计。该器件主要工作在700–1000 MHz频段，典型应用包括工业、科学和医疗（ISM）频段射频能量系统、等离子体生成、射频加热及干燥设备等。 此外，BLF7G21L-160P广泛用于广播发射机中的UHF电视放大器、地面数字电视（DTV）基础设施以及高可靠性通信系统。其高输出功率（可达数百瓦）、优异的热稳定性和高效率特性，使其在连续波（CW）和调制信号条件下均能稳定运行，适合对可靠性和能效要求严苛的工业环境。 该器件常用于需要高功率密度和良好线性度的场景，如基站增强系统、射频激励源和专业无线基础设施。由于采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，适用于风冷或传导冷却系统，确保长时间稳定运行。总体而言，BLF7G21L-160P是高性能射频功率放大的关键元件，适用于多种工业与通信领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1121A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G21L-160P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934065239112 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.08A |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 32.5A |
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