Datasheet下载- 型号： MRF8S7235NR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S7235NR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S7235NR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S7235NR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S7235NR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S7235NR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S7235NR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为 2.7–3.5 GHz 频段设计，典型工作频率覆盖 2.7–3.3 GHz（如 WCDMA/LTE/TD-LTE 宏基站）。其主要应用场景包括： - 4G/5G 宏蜂窝基站功率放大器（PA）：适用于基站末级功放，支持高输出功率（典型 Pout = 35 W @ 2.7 GHz，连续波；脉冲模式下峰值更高），具备高增益（约 16 dB）和高效率（PAE ≈ 50%），满足能效与散热要求。 - 无线基础设施设备：用于分布式基站（BBU+RRU）、小型基站（Micro/Pico Cell）及有源天线系统（AAS）中的射频前端模块，尤其适配多载波宽带信号（如20 MHz LTE 信号），具备良好线性度与ACLR性能。 - ISM 频段工业应用：在 2.4–2.5 GHz 或 3.3–3.8 GHz ISM 频段中，可用于医疗射频消融、工业加热、雷达传感等需稳定高功率射频源的场景。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），集成ESD保护与优化热设计，支持高可靠性连续运行，并兼容NXP推荐的匹配电路与偏置方案。需配合外部输入/输出阻抗匹配网络及稳定偏置电路使用，常与NXP的射频驱动器（如MMRF1022）协同构成完整PA链路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 66W OM780-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S7235NR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | OM-780-2 |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | OM-780-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70VDC |
| 电流-测试 | 1400mA |
| 频率 | 728MHz ~ 768MHz |
| 额定电流 | 1µA |
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