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  • 型号: ATF-34143-TR1G
  • 制造商: Avago Technologies
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ATF-34143-TR1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-34143-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-34143-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-34143-TR1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet pHEMT FET 4V 60mA 2GHz 17.5dB 20dBm SOT-343。您可以下载ATF-34143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-34143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC PHEMT 1.9GHZ 60MA LN SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Low Noise

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

145 mA

Id-连续漏极电流

145 mA

品牌

Avago Technologies US Inc.

产品手册

http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/fet/atf-34143/

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-34143-TR1G-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-1283EN

P1dB

20 dBm

产品型号

ATF-34143-TR1G

PCN组件/产地

http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B

Pd-PowerDissipation

725 mW

Pd-功率耗散

725 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5.5 V

Vds-漏源极击穿电压

5.5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V

产品

RF JFET

产品目录页面

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产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

SOT-343

其它名称

516-1571-1

功率-输出

20dBm

功率耗散

725 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Avago Technologies

噪声系数

0.5dB

增益

17.5dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

封装/箱体

SOT-343

工厂包装数量

3000

技术

GaAs

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

pHEMT FET

最大工作温度

+ 160 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

230 mmho

漏极连续电流

145 mA

漏源电压VDS

5.5 V

电压-测试

4V

电压-额定

5.5V

电流-测试

60mA

类型

GaAs pHEMT

配置

Single Dual Source

闸/源击穿电压

- 5 V

频率

2GHz

额定电流

145mA

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