ATF-34143-TR1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-34143-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-34143-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-34143-TR1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet pHEMT FET 4V 60mA 2GHz 17.5dB 20dBm SOT-343。您可以下载ATF-34143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-34143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ATF-34143-TR1G是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型pHEMT射频场效应晶体管（FET），属于MOSFET - 射频类别。该器件主要用于高频、低噪声放大应用，工作频率范围覆盖直流至4 GHz，特别适用于无线通信系统中的关键射频前端设计。

典型应用场景包括：无线局域网（WLAN）、Wi-Fi 6/6E（802.11ax）接入点和客户端设备、物联网（IoT）网关、小型蜂窝基站（Small Cell）、5G毫米波回传链路以及宽带数据通信设备。其高增益、低噪声系数（典型值0.4 dB @ 2.4 GHz）和高线性度特性，使其在需要高灵敏度和强抗干扰能力的接收链路中表现出色。

此外，ATF-34143-TR1G采用增强型设计，栅极电压为正，支持单电源供电，简化了偏置电路设计，提高了系统可靠性。其封装为超小型表面贴装SOT-323（SC-70），适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式和空间受限的射频模块中。

总体而言，该器件适用于对性能和尺寸要求严苛的现代射频系统，尤其在高性能无线基础设施和消费类通信设备中具有重要地位。

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ATF-34143-TR1G是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型pHEMT射频场效应晶体管（FET），属于MOSFET - 射频类别。该器件主要用于高频、低噪声放大应用，工作频率范围覆盖直流至4 GHz，特别适用于无线通信系统中的关键射频前端设计。

典型应用场景包括：无线局域网（WLAN）、Wi-Fi 6/6E（802.11ax）接入点和客户端设备、物联网（IoT）网关、小型蜂窝基站（Small Cell）、5G毫米波回传链路以及宽带数据通信设备。其高增益、低噪声系数（典型值0.4 dB @ 2.4 GHz）和高线性度特性，使其在需要高灵敏度和强抗干扰能力的接收链路中表现出色。

此外，ATF-34143-TR1G采用增强型设计，栅极电压为正，支持单电源供电，简化了偏置电路设计，提高了系统可靠性。其封装为超小型表面贴装SOT-323（SC-70），适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式和空间受限的射频模块中。

总体而言，该器件适用于对性能和尺寸要求严苛的现代射频系统，尤其在高性能无线基础设施和消费类通信设备中具有重要地位。