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型号： BLF7G20LS-90P,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G20LS-90P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G20LS-90P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G20LS-90P,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G20LS-90P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G20LS-90P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc.生产的BLF7G20LS-90P,112是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大器应用。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 广播通信
   - 该器件适用于AM、FM和数字广播（如DRM）的发射机。它能够提供高效率和高增益，确保信号传输的稳定性和覆盖范围。

 2. 无线通信
   - 在无线通信领域，BLF7G20LS-90P,112可用于基站放大器中，支持多种无线通信标准，例如VHF/UHF频段的对讲机、移动无线电通信等。
   - 它还适合用于L频段卫星通信系统中的功率放大器。

 3. 工业、科学和医疗（ISM）应用
   - 在ISM频段（如433 MHz、915 MHz等），该晶体管可用于高频加热、焊接、等离子体生成等设备中，提供高效的能量转换。

 4. 航空与国防
   - BLF7G20LS-90P,112可应用于雷达系统、导航设备和军用通信系统中，提供高可靠性、高线性度和高输出功率。
   - 它也适合用于电子战系统中的射频干扰或信号增强模块。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中，这款晶体管可用作信号源放大器的核心组件，确保测试信号的纯净度和强度。

 6. 业余无线电
   - 对于业余无线电爱好者，该晶体管可以用于自制的高功率射频放大器，提升信号传输距离和质量。

 技术特点：
- 工作频率范围广，适合VHF至L频段的应用。
- 高输出功率（可达数百瓦），适用于需要大功率射频信号的场景。
- 高效率和良好的热性能，确保长时间稳定运行。
- 小型化封装设计，便于集成到紧凑型设备中。

总结来说，BLF7G20LS-90P,112是一款高性能射频MOSFET，广泛应用于广播、通信、工业、国防以及测试设备等领域，为各种射频功率放大需求提供可靠的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PWR LDMOS ACC-4L
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G20LS-90P,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM4
其它名称	934064344112
功率-输出	84W
包装	管件
噪声系数	-
增益	19dB
封装/外壳	SOT-1121B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	550mA
频率	1.81GHz ~ 1.88GHz
额定电流	18A