【未分类_BLF6G27LS-75,112】封装/厂家_BLF6G27LS-75,112中文资料_价格

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型号： BLF6G27LS-75,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27LS-75,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27LS-75,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27LS-75,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G27LS-75,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27LS-75,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF6G27LS-75,112 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子体生成和感应焊接等。该器件工作在270 MHz左右的频率范围，具备75V漏极供电能力，可提供高达600W的输出功率，适合需要高能效和高稳定性的大功率系统。

此外，BLF6G27LS-75,112 广泛应用于广播领域的调频（FM）发射机和电视发射系统中，用于增强信号覆盖范围和传输质量。由于其优良的热稳定性和可靠性，也适用于陆地移动通信基站和公共安全通信系统，如警察、消防和应急通信网络中的高功率射频放大模块。

该器件采用先进的LDMOS技术，具有高增益、高效率和良好的线性度，能够在苛刻的工作环境下长时间稳定运行。其封装设计有利于高效散热，适合连续波（CW）和脉冲工作模式，满足多种射频功率放大的严苛要求。因此，BLF6G27LS-75,112 是现代高功率射频系统中关键的功率放大元件，广泛服务于通信、广播与工业领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G27LS-75,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-8654 934063217112 BLF6G27LS-75,112-ND BLF6G27LS75112
功率-输出	9W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	17dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	600mA
频率	2.5GHz ~ 2.7GHz
额定电流	18A