Datasheet下载- 型号： BG3130H6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BG3130H6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BG3130H6327XTSA1价格参考。InfineonBG3130H6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BG3130H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BG3130H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的BG3130H6327XTSA1是一款射频MOSFET晶体管，属于高性能硅基N沟道增强型场效应管，专为高频应用设计。该器件广泛应用于无线通信系统中的射频功率放大环节，尤其适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如2.4 GHz无线网络、蓝牙、Wi-Fi模块及短距离无线传输系统。 BG3130H6327XTSA1具备高增益、低噪声和优异的线性度，适合用于小信号放大和低功耗射频输出级，常见于物联网（IoT）设备、智能家居终端、无线传感器网络和便携式通信模块中。其封装紧凑（HVSOF-8），有助于节省PCB空间，同时支持表面贴装工艺，提升生产效率。 此外，该器件在工作温度范围内具有良好的热稳定性和可靠性，适用于对稳定性要求较高的消费类电子和工业级应用。由于其优化的射频性能和低失真特性，也常被用于无线音频传输、遥控装置和RFID读写器等场景。 综上所述，BG3130H6327XTSA1主要应用于工作频率较高、功耗较低且需要稳定射频性能的无线通信设备中，是现代小型化无线系统中的关键元件之一。
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