Datasheet下载- 型号： MRF1535FNT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF1535FNT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF1535FNT1价格参考。Freescale SemiconductorMRF1535FNT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF1535FNT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF1535FNT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF1535FNT1是NXP USA Inc.推出的一款射频MOSFET晶体管，属于高功率LDMOS器件，主要应用于射频功率放大场景。该器件典型工作频率范围覆盖DC至2500 MHz，输出功率可达数百瓦，具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高线性度和可靠性的射频系统。 其主要应用场景包括：陆地移动通信基站（如公共安全通信、应急调度系统）、工业与商业无线通信基础设施、广播发射设备（如FM/数字音频广播）以及各类高功率射频放大器模块。此外，MRF1535FNT1也广泛用于ISM频段（工业、科学和医疗）设备中，例如射频能量应用、等离子发生器和加热系统。 该器件采用紧凑的贴片封装（FNT1），便于集成到现代通信模块中，并支持阻抗匹配优化，提升了系统设计灵活性。凭借NXP在射频技术领域的优势，MRF1535FNT1在高温和高负载环境下仍能保持稳定性能，适合严苛工业环境使用。总体而言，它是一款面向中高频段、高可靠性要求的射频功率放大的关键元器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF1535FNT1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272-6 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 12.5V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 520MHz |
| 额定电流 | 6A |
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