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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTST30100CTG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTST30100CTG价格参考。ON SemiconductorNTST30100CTG封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 15A Through Hole TO-220-3。您可以下载NTST30100CTG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTST30100CTG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTST30100CTG 是 ON Semiconductor 生产的一款二极管整流器阵列,广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低正向压降、高浪涌电流能力和快速恢复时间等特性,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。 应用场景: 1. 电源管理: - NTST30100CTG 常用于开关电源(SMPS)的次级侧整流,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。其低正向压降有助于降低发热,延长产品寿命。 2. 电机驱动: - 在电机驱动电路中,该二极管阵列可以用于保护逆变器免受反电动势的影响,确保电机运行稳定。其快速恢复特性有助于减少开关噪声和电磁干扰(EMI),提升系统性能。 3. 电池充电: - 该器件适用于电池充电器中的整流环节,能够实现高效的直流输出。其高浪涌电流能力使其能够在电池接入瞬间承受较大的冲击电流,保证充电过程的安全性和可靠性。 4. 消费电子产品: - 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备的充电器中,NTST30100CTG 可以提供高效的整流功能,确保设备在充电时的稳定性和安全性。 5. 工业自动化: - 在工业控制系统中,该二极管阵列可用于保护传感器和执行器免受电压瞬变的影响。其可靠的性能和长寿命特点使得它在恶劣环境下也能保持稳定工作。 6. 通信设备: - 在基站和路由器等通信设备中,NTST30100CTG 可用于电源模块中的整流部分,确保设备在不同负载条件下的稳定供电,同时减少能耗。 7. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车载充电器、DC-DC 转换器等,NTST30100CTG 可以提供高效的整流功能,满足汽车环境对可靠性和耐用性的严格要求。 总之,NTST30100CTG 凭借其优异的电气特性和可靠性,适用于多种电力电子应用领域,特别是在需要高效整流和保护功能的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 30100 TO-220AB |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor NTST30100CTG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTST30100CTG |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 850mV @ 15A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 7.2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 160 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 0.455 V |
| 正向连续电流 | 15 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 15A |
| 系列 | NTST30100CTG |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Dual Parallel |