Datasheet下载- 型号： NTF2955PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTF2955PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTF2955PT1G价格参考。ON SemiconductorNTF2955PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTF2955PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTF2955PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTF2955PT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中，用于高效能开关操作。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，实现对电机启停和速度的控制。 3. 负载开关：用于控制电源到负载的通断，如LED驱动、继电器驱动等。 4. 电池管理系统：在电池充放电保护电路中用作开关元件，提高系统效率。 5. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等对可靠性和效率有要求的场合。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTF2955PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 492pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 185 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
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