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Datasheet下载- 型号： BUK9Y14-40B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y14-40B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y14-40B,115价格参考￥1.60-￥1.95。NXP SemiconductorsBUK9Y14-40B,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载BUK9Y14-40B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y14-40B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK9Y14-40B,115 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：BUK9Y14-40B,115 的低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等开关电源应用。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电路的开启与关闭，减少功耗并提高效率。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动，如风扇、泵或玩具电机。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制，提供精确的速度和方向调节。 3. 电池管理系统 (BMS) - 充放电保护：在锂电池或其他可充电电池组中，用作充放电路径的开关，确保电池的安全运行。 - 电流限制：通过其低导通电阻特性，实现高效的电流限制功能，避免过流损坏。 4. 信号切换 - 高速信号切换：在通信设备或工业控制系统中，用于高频信号的快速切换，保证信号完整性和传输效率。 - 多路复用器：在数据采集系统中，作为多路复用器的开关元件，选择不同的输入通道。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅加热器、雨刷控制器等，利用其耐高压特性和可靠性。 - LED 驱动：用于汽车 LED 灯光系统的驱动，提供稳定的电流输出。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业传感器中用作信号放大或隔离开关，增强系统的抗干扰能力。 - 继电器替代：由于其快速响应和长寿命特性，常用于取代传统机械继电器。 7. 消费电子产品 - 音频设备：在功率放大器中用作输出级开关，提供高保真的音频信号。 - 游戏设备：如手柄振动马达驱动或内部电源管理模块。 总之，BUK9Y14-40B,115 凭借其优异的电气性能（如低 Rds(on)、高电流承载能力和快速开关速度），成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 40V LFPAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 56A 5-Pin(4+Tab) |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 56 A |
| Id-连续漏极电流 | 56 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9Y14-40B,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK9Y14-40B,115 |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| Qg-GateCharge | 21 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 42 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6234-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 56A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
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