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FDD6N25TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6N25TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 50W(Tc) D-Pak。您可以下载FDD6N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6N25TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) FDD6N25TM 的高电压耐受能力(250V VDS)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它可以高效地控制电流的通断,从而实现稳定的电压输出。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可用作开关元件,通过 PWM(脉宽调制)信号调节电机的速度和方向。其低导通电阻(典型值为 4.9Ω @ VGS=10V)有助于减少功耗并提高效率。 3. 逆变器电路 该器件适用于小型逆变器设计,例如将直流电转换为交流电的应用场景。它能够承受较高的电压和电流波动,确保电路在复杂负载条件下的稳定性。 4. 负载开关与保护电路 FDD6N25TM 可用于负载开关或过流保护电路中,通过快速响应切断异常电流路径,保护系统免受损坏。 5. 家电与工业设备 在家用电器(如吸尘器、风扇等)或工业设备中,这款 MOSFET 可以作为功率控制元件,实现高效能管理和节能效果。 6. 汽车电子 虽然 FDD6N25TM 不是专门针对汽车级设计的产品,但在某些非关键性车载应用中(如照明控制、辅助电路等),也可以使用它来实现简单的功率管理功能。 总结来说,FDD6N25TM 因其良好的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高压、低功耗开关操作的各种电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAKMOSFET 250V N-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6N25TMUniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDD6N25TM |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 50 W |
Pd-功率耗散 | 50 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.1 欧姆 @ 2.2A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | FDD6N25TMTR |
典型关闭延迟时间 | 7 ns |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 5.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Tc) |
系列 | FDD6N25 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |