Datasheet下载- 型号： IRF3808SPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3808SPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3808SPBF价格参考。International RectifierIRF3808SPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF3808SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF3808SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF3808SPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)： IRF3808SPBF 适用于各种开关电源设计，如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 5.5mΩ）和高电流能力（最大 drain 电流可达 64A），使其非常适合高效能的 DC-DC 转换应用。 2. 电机驱动： 该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机。其高电流承载能力和快速开关特性能够满足电机启动、运行及制动的需求。 3. 电池管理系统 (BMS)： 在电池保护电路中，IRF3808SPBF 可用作充放电控制开关，确保电池在安全的工作范围内运行。其低导通电阻有助于减少功耗，提高系统效率。 4. 负载切换： 用于负载切换电路中，例如汽车电子设备中的负载管理。其高可靠性与耐热性能使其能够在严苛环境下稳定工作。 5. LED 驱动器： 在大功率 LED 照明应用中，该 MOSFET 可作为开关元件，实现恒流驱动功能，确保 LED 的亮度一致性和寿命延长。 6. 逆变器： IRF3808SPBF 可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，提供高效的 AC-DC 或 DC-AC 转换。 7. 工业自动化： 在工业控制系统中，该器件可用作信号放大或驱动执行机构（如电磁阀、继电器等）的开关元件。 总结来说，IRF3808SPBF 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效能、高电流处理能力的各种电力电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 106A D2PAKMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 105 A |
| Id-连续漏极电流 | 105 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3808SPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF3808SPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 150 nC |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 140 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 82A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF3808SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 150 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 105 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 106A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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