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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGD18N40LZ-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGD18N40LZ-1价格参考。STMicroelectronicsSTGD18N40LZ-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGD18N40LZ-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGD18N40LZ-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGD18N40LZ-1是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结沟槽MOSFET)类别,具有以下应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STGD18N40LZ-1适用于各种开关电源设计,包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(400V)使其适合高压环境下的高效开关操作。 - 常用于笔记本电脑适配器、手机充电器以及LED驱动电源。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,该MOSFET可用于控制电机的启动、停止和速度调节。例如家用电器中的风扇、水泵或电动工具。 - 其快速开关特性和低损耗特性有助于提高效率并减少发热。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,将直流电转换为交流电。其高耐压能力和低导通损耗使其非常适合此类高压转换场景。 4. 电磁兼容性(EMI)滤波电路 - 在需要高频开关的EMI滤波器中,该器件可以有效降低噪声干扰,同时保持较高的系统效率。 5. 电池管理系统(BMS) - 在电动汽车或储能系统的电池管理中,这款MOSFET可以用作保护开关,确保电池组的安全充放电过程。 6. 工业自动化 - 在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口或继电器替代方案中,STGD18N40LZ-1能够提供可靠的开关性能。 7. 汽车电子 - 虽然不是车规级产品,但在非关键汽车应用中(如车灯控制、音响系统等),它也可以发挥作用。 特点总结: - 额定电压:400V,适用于高压环境。 - 导通电阻:低至0.18Ω(典型值),降低功耗。 - 快速开关能力:适合高频应用。 - 小型封装:节省空间,便于设计紧凑型电路。 综上所述,STGD18N40LZ-1广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及部分汽车电子领域,特别适合需要高效能和高可靠性的高压开关场景。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 650ns/13.5µs |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
描述 | IGBT 420V 25A 125W IPAK |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 29nc |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STGD18N40LZ-1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerMESH™ |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | 300V, 10A, 5V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 4.5V,10A |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC1131/PF184847?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
标准包装 | 75 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 420V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 25A |
输入类型 | 逻辑 |