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Datasheet下载- 型号： FJN3303FBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FJN3303FBU产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3303FBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3303FBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3303FBU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 1.5A 4MHz 650mW 通孔 TO-92。您可以下载FJN3303FBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3303FBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3303FBU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管主要用于需要高频率和高电压特性的应用场合。 其主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：FJN3303FBU具备良好的高频特性，适合用于射频信号放大，常见于通信设备、无线基站和射频测试仪器中。 2. 功率放大器：该器件可工作于高电压状态，适用于中功率放大电路，如音频功率放大或工业控制中的功率驱动电路。 3. 开关电源和DC-DC转换器：由于其具备较高的耐压能力和良好的开关特性，可用于电源转换电路中的开关元件。 4. 工业控制和驱动电路：在电机驱动、继电器控制等工业自动化应用中，作为高电压开关使用。 5. 汽车电子：适用于车载音响、车载电源管理系统等对可靠性有较高要求的场景。 FJN3303FBU采用DPAK封装，便于散热和高功率密度设计，适合在对空间和性能都有要求的应用中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 400V 1.5A TO92两极晶体管 - BJT Hi Voltage Fast Swth NPN Power Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJN3303FBU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJN3303FBU |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 500mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 14 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 功率-最大值 | 650mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 179 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 14 |
| 系列 | FJN3303 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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