Datasheet下载- 型号： FCX658ATA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCX658ATA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCX658ATA价格参考。Diodes Inc.FCX658ATA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCX658ATA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCX658ATA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为FCX658ATA、由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管（BJT），常用于需要高频和高开关速度的电路设计中。该器件属于NPN型晶体管，具有良好的性能和可靠性，广泛应用于以下场景： 1. 射频（RF）放大器：由于其高频特性，适用于无线通信设备中的信号放大模块。 2. 开关电路：适合数字电路中高速开关操作，如电源管理和逻辑控制电路。 3. 功率调节系统：可用于小型电机驱动、LED照明调光或直流电源转换应用。 4. 音频放大器：在低噪声前置放大电路中表现良好，常见于消费电子和音频设备。 5. 工业控制与传感器接口：作为信号处理或驱动元件，用于自动化系统和传感器电路。 该晶体管采用SOT-223封装，具备良好的散热能力，适合表面贴装工艺，广泛用于紧凑型电子设备的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 400V 500MA SOT-89两极晶体管 - BJT NPN 400V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FCX658ATA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCX658ATA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 200mA，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | FCX658ACT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 85 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 85 at 1 mA at 5 V, 100 at 10 mA at 10 V, 55 at 100 mA at 5 V, 35 at 200 mA at 10 V |
| 系列 | FCX658 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 400 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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