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  • 型号: MPSA12G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPSA12G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSA12G价格参考。ON SemiconductorMPSA12G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPSA12G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPSA12G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPSA12G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),常用于中频、中功率的开关和放大电路。该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压(最高可达30V),适合需要一定电压耐受能力的电路应用。

MPSA12G的应用场景主要包括:

1. 开关电路:由于其良好的导通与截止特性,MPSA12G常用于数字电路中的开关元件,如驱动继电器、LED、小型电机等负载。

2. 信号放大:适用于音频放大器、射频信号放大器的前置放大级,尤其在需要中等功率放大的场合。

3. 电源管理电路:可用于稳压电路或DC-DC转换器中,作为控制或调节元件使用。

4. 工业控制:在工业自动化设备中,MPSA12G可作为传感器信号处理或执行机构的驱动元件。

5. 消费类电子产品:如电视机、音响设备、家用电器控制板中,用于信号处理和驱动功能。

该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于焊接,适合在高密度PCB布局中使用。由于其性能稳定、价格适中,广泛应用于中低频电子电路设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN DARL BIPO 20V TO-92

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MPSA12G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 10µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

20000 @ 10mA,5V

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

625mW

包装

散装

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

晶体管类型

NPN - 达林顿

标准包装

5,000

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

-

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