Datasheet下载- 型号： 2SC6096-TD-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC6096-TD-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC6096-TD-H价格参考￥1.17-￥1.17。ON Semiconductor2SC6096-TD-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC6096-TD-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC6096-TD-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC6096-TD-H是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于中功率放大和开关应用。该晶体管具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于需要可靠性和性能的电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压电源中的开关元件，实现高效的能量转换。 2. 马达驱动：在小型电机或步进电机的驱动电路中作为功率开关使用。 3. 音频放大：在低频音频功率放大电路中用作输出级，提供较大的输出电流。 4. 工业控制：广泛应用于各类工业自动化设备中，如PLC控制输出、继电器驱动等场合。 5. 汽车电子：适合车载系统中对温度范围和可靠性要求较高的场景，如车灯控制、风扇驱动等。 该器件采用表面贴装封装（如TO-252），便于散热和自动化生产，适合中高功率密度设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 2A 100V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC6096-TD-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC6096-TD-H |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6.5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 3.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 600 |
| 系列 | 2SC6096 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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