【未分类_2SC3646T-TD-E】封装/厂家_2SC3646T-TD-E中文资料_价格

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型号： 2SC3646T-TD-E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC3646T-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC3646T-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC3646T-TD-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2SC3646T-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC3646T-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SC3646T-TD-E 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的单晶体管。该型号广泛应用于需要高性能、高频率和低噪声特性的电子电路中，其典型应用场景包括：

1. 射频（RF）和高频放大器：  
   2SC3646T-TD-E 具有较高的增益带宽积（fT），适合用于射频信号放大器或高频通信设备中的前置放大器。它的低噪声特性使其成为无线通信、雷达系统以及卫星接收设备的理想选择。

2. 音频放大器：  
   在高保真音频设备中，该晶体管可以作为驱动级或输出级的一部分，提供稳定的电流输出和良好的线性度，从而减少失真并提升音质。

3. 混频器与调制解调器：  
   由于其优异的高频性能，此晶体管适用于构建混频器、振荡器及调制解调器等电路，在广播、电视和无线通信领域发挥重要作用。

4. 开关应用：  
   尽管主要设计为放大用途，但 2SC3646T-TD-E 也可以用作高速开关元件，例如在脉宽调制（PWM）控制器或数字逻辑接口中实现快速切换功能。

5. 传感器信号调理电路：  
   对于微弱信号的检测与处理，这款晶体管凭借其低噪声优势能够准确地放大来自传感器（如光电二极管、热电偶等）的电信号。

6. 测试测量仪器：  
   在精密仪器如示波器、频谱分析仪中，该晶体管可用于构建关键的信号采集与放大部分，确保数据采集的准确性和可靠性。

总之，2SC3646T-TD-E 凭借其卓越的电气参数和稳定性，特别适合要求苛刻的高频、低噪声及高精度应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN BIPO 1A 100V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP NPN 1A 100V
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC3646T-TD-E-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2SC3646T-TD-E
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	400mV @ 40mA，400mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 100mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	PCP
功率-最大值	500mW
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	120 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-243AA
工厂包装数量	1000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	1.3 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	2 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	100V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	400
系列	2SC3646
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	100 V
集电极—基极电压VCBO	120 V
集电极—射极饱和电压	0.1 V
集电极连续电流	1 A
频率-跃迁	120MHz

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