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MJW21196G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJW21196G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJW21196G价格参考。ON SemiconductorMJW21196G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 250V 16A 4MHz 200W 通孔 TO-247。您可以下载MJW21196G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJW21196G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJW21196G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的功率晶体管。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - MJW21196G 常用于开关电源(SMPS)、线性稳压器和 DC-DC 转换器中,作为开关或放大元件来调节电压和电流。 - 在电源管理电路中,该晶体管能够处理高电流和高电压,适合需要高效能和稳定性的应用。 2. 电机驱动与控制 - 该型号可用于驱动小型直流电机、步进电机或伺服电机。通过控制基极电流,可以实现对电机转速和方向的精确控制。 - 在工业自动化设备中,MJW21196G 可用作电机启动和停止的开关器件。 3. 音频放大器 - 在音频设备中,MJW21196G 可用作功率放大级的一部分,提供足够的电流以驱动扬声器或其他负载。 - 它适用于家庭音响系统、汽车音响以及专业音频设备中的功率放大电路。 4. 继电器驱动 - MJW21196G 可用于驱动电磁继电器或固态继电器,特别是在需要大电流切换的应用中。 - 其高电流承载能力使其成为控制高功耗负载的理想选择。 5. 负载开关 - 在需要频繁开启或关闭大功率负载的场景中,MJW21196G 可作为高效的负载开关使用。 - 例如,在照明系统中,它可以用来控制 LED 灯带或白炽灯的通断。 6. 保护电路 - 该晶体管可用于过流保护、短路保护等电路中,通过快速响应异常情况来保护其他敏感元件。 - 在电池管理系统(BMS)中,MJW21196G 可帮助防止过充或过放。 7. 通信设备 - 在某些通信设备中,MJW21196G 可用于信号放大或功率调节,确保信号传输的稳定性和可靠性。 特性总结: - 额定电压:高达 80V,适用于多种高压环境。 - 额定电流:最大集电极电流为 12A,适合高电流应用。 - 低饱和电压:有助于提高效率并减少功率损耗。 - 高增益:提供良好的电流放大能力,适合复杂电路设计。 综上所述,MJW21196G 凭借其高性能参数,广泛应用于工业、消费电子、汽车电子及通信等领域,是一款功能强大的 NPN 功率晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS BIPO NPN 16A 250V TO247两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJW21196G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJW21196G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 3.2A,16A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 8A,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | MJW21196GOS |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 16 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 250V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | MJW21196 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 250 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 400 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 16 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |