Datasheet下载- 型号： PBSS4220V,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4220V,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4220V,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4220V,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4220V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4220V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4220V,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用 SOT666 小型表面贴装封装，具有高电流增益（hFE 典型值 200@Ic=100mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 150mV @ Ic=100mA, Ib=5mA）及20V集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于中低功率开关与线性放大场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用作DC-DC转换器、LED驱动器或负载开关中的高速开关元件，其低饱和压降可提升能效、减少发热； 2. 信号切换与逻辑接口：在微控制器（如ARM、PIC）输出端驱动继电器、小型电磁阀、蜂鸣器或指示LED，提供电平转换与电流放大功能； 3. 消费电子与便携设备：因SOT666封装尺寸小（2.1×1.8×0.95 mm）、热性能优，广泛用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等空间受限产品中的电池保护电路或传感器信号调理前端； 4. 工业控制模块：作为PLC输入/输出缓冲级、光电耦合器后级驱动，实现隔离信号的可靠放大与驱动。 该器件符合AEC-Q100标准（部分批次），具备一定车规兼容性，亦可用于对可靠性要求较高的工业环境。需注意其最大集电极电流为200mA（连续），设计时应合理匹配基极驱动电阻并考虑散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 20V 2A LOW SAT SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBSS4220V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 350mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7294-1 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 210MHz |
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