Datasheet下载- 型号： FZT658TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT658TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT658TA价格参考。Diodes Inc.FZT658TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FZT658TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT658TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT658TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极性晶体管（BJT），具有高电流和高增益特性，常用于中等功率的开关与放大应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于直流电机驱动、LED 驱动及电源开关电路，因其可承受较高集电极电流（最高达 2A），适合需要稳定电流控制的场合。 2. 信号放大：在音频或低频信号放大电路中作为前置放大器使用，利用其较高的直流电流增益（hFE）实现良好的信号放大性能。 3. 开关应用：广泛用于各类电子设备中的固态开关，如继电器驱动、传感器控制、逻辑缓冲输出级等，能快速响应并可靠导通或关断负载。 4. 消费类电子产品：常见于家用电器、智能插座、充电设备和小型电源适配器中，用于控制和调节电路工作状态。 5. 工业控制：在自动化控制模块、电磁阀驱动和接口电路中发挥开关作用，提升系统响应速度与稳定性。 FZT658TA 采用 SOT-223 小型封装，散热性能良好，适合空间受限但需一定功率处理能力的应用环境。同时具备良好的热稳定性和可靠性，满足工业级温度范围要求，是通用模拟与数字电路设计中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HV 400V 500MA SOT-223两极晶体管 - BJT NPN High Voltage |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT658TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT658TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 200mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT658TR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 at 1 mA at 5 V, 50 at 100 mA at 5 V, 40 at 200 mA at 10 V |
| 系列 | FZT658 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 400 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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