【未分类_2N5551G】封装/厂家_2N5551G中文资料_价格

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型号： 2N5551G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551G价格参考￥0.30-￥0.89。ON Semiconductor2N5551G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2N5551G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5551G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5551G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型。该型号广泛应用于需要中高频率和中等功率输出的场景，具体应用场景如下：

1. 音频放大器：2N5551G 常用于低至中功率的音频放大电路中，作为驱动级或输出级的晶体管。其较高的增益和频率响应特性使其非常适合处理音频信号。

2. 射频（RF）应用：由于其较高的截止频率（fT 约为 300 MHz），2N5551G 可用于射频放大器、混频器以及振荡器等高频电路中。

3. 开关电路：在数字逻辑电路中，2N5551G 能够用作开关元件，实现信号的快速切换。例如，在脉宽调制（PWM）控制电路中，它可用于驱动负载如小型电机或继电器。

4. 电源管理：该晶体管适用于简单的稳压电路或电流限制电路，能够帮助调节输出电压或保护下游设备免受过流损害。

5. 传感器接口：在工业自动化领域，2N5551G 可用于将微弱的传感器信号放大到可被控制系统检测到的程度。

6. 测试与测量设备：在一些便携式或低成本测试仪器中，2N5551G 可能被用作信号调理元件之一，参与构建放大链路以提升输入信号的质量。

需要注意的是，尽管 2N5551G 的性能表现良好，但在选择使用时仍需考虑实际工作条件是否符合其额定参数范围，包括集电极-发射极电压（Vce）、集电极电流（Ic）、功耗（Ptot）等因素，确保安全可靠地运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92两极晶体管 - BJT 600mA 180V NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5551G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N5551G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	200mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 10mA，5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	2N5551G-ND 2N5551GOS
功率-最大值	625mW
包装	散装
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	300 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3 标准主体
封装/箱体	TO-92-3 (TO-226)
工厂包装数量	5000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.6 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	5,000
电压-集射极击穿（最大值）	160V
电流-集电极(Ic)（最大值）	600mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流集电极/BaseGainhfeMin	80
系列	2N5551
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	160 V
集电极—基极电压VCBO	180 V
集电极—射极饱和电压	0.25 V
集电极连续电流	0.6 A
频率-跃迁	300MHz

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