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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6727MTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6727MTRPBF价格参考。International RectifierIRF6727MTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6727MTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6727MTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRF6727MTRPBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),且为单通道设计。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - IRF6727MTRPBF适用于各种电源管理应用,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电池充电电路。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低功率损耗,提高转换效率。 - 常用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源适配器中。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,支持高效的开关操作,适合家用电器、玩具和自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 - 在需要快速切换负载的应用中,IRF6727MTRPBF可以用作负载开关,控制电流流向特定电路或组件。常见于智能手机、平板电脑等消费类电子产品中。 4. 信号放大与调节 - 由于其高频率响应能力,该型号可应用于信号放大和调节电路中,例如音频信号处理或传感器信号调理。 5. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,如LED照明驱动、电动窗控制单元或座椅调节模块中,IRF6727MTRPBF能够提供可靠的性能和稳定性。 6. 通信设备 - 适用于基站、路由器或其他通信设备中的功率控制模块,确保高效稳定的信号传输。 特性总结 - 电压范围:支持高达30V的工作电压,适合多种低压应用。 - 电流能力:持续漏极电流可达30A(取决于散热条件),满足大电流需求。 - 低Rds(on):具有较低的导通电阻,减少功率损耗并提升效率。 - 封装形式:采用Pb-Free环保封装,符合RoHS标准,便于现代电路板设计。 综上所述,IRF6727MTRPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信设备等领域,是一款高性能、可靠性的MOSFET器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF6727MTRPBF |
PCN其它 | |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6190pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.7 毫欧 @ 32A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
其它名称 | IRF6727MTRPBFCT |
功率-最大值 | 2.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Ta), 180A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6727mpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6727mpbf.spi |