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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP2N60由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP2N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQP2N60封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP2N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP2N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP2N60 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器等电路中,作为高效开关元件,实现电能的稳定转换与调节。 2. 马达控制:在直流马达驱动器或步进马达控制电路中,作为功率开关使用,控制马达的启停与转速。 3. 照明系统:用于LED照明驱动电路中,特别是在需要调光或恒流控制的场合。 4. 逆变器与UPS系统:在小型逆变器或不间断电源(UPS)设备中,用于将直流电转换为交流电,提供稳定的电力输出。 5. 工业自动化:在PLC、继电器驱动、工业控制模块中,作为负载开关或隔离器件使用。 该MOSFET具有较高的耐压能力(600V)和良好的导通电阻特性,适合于中等功率水平的高效能应用。其封装形式(如TO-220)便于散热和安装,广泛适用于各类通用开关电路。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQP2N60 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.7 欧姆 @ 1.2A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 64W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |