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HUF75852G3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75852G3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75852G3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75852G3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 150V 75A(Tc) 500W(Tc) TO-247。您可以下载HUF75852G3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75852G3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75852G3是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于中高功率开关场景。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和优良的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,作为主开关或同步整流元件,提高转换效率,降低功耗。 2. 电机驱动:在工业控制、电动工具、家用电器等电机驱动电路中,用于控制电机的启停与转速调节,具备快速响应和低损耗优势。 3. 照明系统:适用于LED驱动电源,尤其在大功率LED照明中,提供稳定高效的电流控制。 4. 汽车电子:可用于车载电源系统、继电器驱动、灯控模块等,满足汽车级工作温度和可靠性要求。 5. 消费电子与工业设备:如充电器、适配器、UPS不间断电源等,发挥其高效率、小体积的优势。 HUF75852G3采用先进的TrenchFET®技术,封装为DPAK(TO-252),便于散热和安装,适合高密度PCB布局。其优异的开关性能和耐压能力(VDS典型值为60V)使其在50V以下的中低压应用中表现突出。总体而言,该MOSFET适用于对效率、可靠性和空间布局有较高要求的各类电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247MOSFET 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75852G3UltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HUF75852G3 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 151 ns |
| 下降时间 | 107 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 480nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | HUF75852G3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
| 系列 | HUF75852 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | HUF75852G3_NL |