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Datasheet下载- 型号： TK100E06N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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TK100E06N1,S1X产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK100E06N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK100E06N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK100E06N1,S1X封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220。您可以下载TK100E06N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK100E06N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK100E06N1,S1X 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌产品是一款 N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的FET类别。该器件主要应用于需要高效能功率管理与转换的电子设备中。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、电源开关等，提供高效的电能转换与稳定输出。 2. 电机驱动电路：适用于小型电机控制，如电动工具、风扇、泵类设备中的驱动模块。 3. 负载开关控制：在工业控制与自动化设备中，作为高边或低边开关使用。 4. 电池供电设备：如便携式电子产品、电动自行车、储能系统中，实现低损耗功率控制。 5. 汽车电子系统：可用于车载充电系统、LED照明驱动或辅助电机控制等场景。 该MOSFET具备良好的导通电阻与电流承载能力，适合中高功率应用，同时封装形式便于散热与安装，适用于对空间与效率有要求的设计环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100E06N1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK100E06N1,S1X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10500pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK100E06N1S1X |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/toshiba-silicon-n-channel-mosfet/2550http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
