Datasheet下载- 型号： FQB6N90TM_AM002
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N90TM_AM002由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N90TM_AM002价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N90TM_AM002封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB6N90TM_AM002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB6N90TM_AM002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB6N90TM_AM002 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，因其高耐压（900V）和良好的导通电阻特性，适合高压输入的电源设计。 2. 照明系统：常见于LED驱动电路和电子镇流器中，用于控制电流稳定输出，提高灯具效率与寿命。 3. 工业控制：如变频器、伺服驱动器、工业自动化设备中的电机控制模块，作为高频开关元件使用。 4. 家电应用：用于空调、洗衣机、电磁炉等家用电器中的功率控制部分，具备高可靠性与稳定性。 5. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统中，用于实现高效的能量转换与管理。 该器件采用先进工艺制造，具有低导通电阻、高雪崩耐量和优良热性能，适用于高温环境下的稳定运行。同时封装形式小型化，有利于节省PCB空间，提升系统集成度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB6N90TM_AM002 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 欧姆 @ 2.9A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Tc） |
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