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Datasheet下载- 型号： PMT21EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMT21EN,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMT21EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMT21EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMT21EN,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 7.4A（Ta） 820mW（Ta），8.33W（Tc） SC-73。您可以下载PMT21EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMT21EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMT21EN,115 是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，适用于多种电子电路设计中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关等场合，用于提高能效和稳定性。 2. 负载开关：用于控制电源到负载的通断，常见于电池供电设备中，如笔记本电脑、平板和智能手机。 3. 马达驱动：适用于小型马达或风扇的开关控制，常用于家电、工业控制设备中。 4. 信号开关：在模拟和数字信号路径中作为高速开关使用，适用于通信设备和数据处理系统。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制、传感器接口等场景，具备良好的稳定性和耐温性能。 6. 消费类电子产品：如智能手表、无线耳机、智能家居设备等，适用于对空间和功耗有要求的小型化设计。 该MOSFET具有低导通电阻、小型封装、高可靠性和良好的热稳定性，适合高效率、高密度的电路设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.4A SC-73 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMT21EN,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 588pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.4nC @ 15V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 7.4A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-10997-1 |
| 功率-最大值 | 820mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A （Ta） |
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