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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH460P2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH460P2价格参考。IXYSIXTH460P2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTH460P2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH460P2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH460P2是一款高功率MOSFET晶体管,主要用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)等场景。 在工业自动化领域,IXTH460P2可用于变频器和伺服驱动器中,实现对电机的精确控制。在电源设备中,该MOSFET可应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和UPS不间断电源系统,提供高效的电能转换。 此外,IXTH460P2还适用于电动汽车充电设备和储能系统,在这些应用中能够有效提升能量转换效率并降低损耗。其高耐压和大电流承载能力使其能够在较为严苛的工作环境下稳定运行,因此也被广泛用于军工和航天等高端领域。 总之,IXTH460P2凭借其优良的电气性能和可靠性,广泛应用于各类高功率电力电子设备中,是实现高效、稳定电力转换与控制的重要元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247MOSFET PolarP2 Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
Id-连续漏极电流 | 24 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH460P2PolarP2™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTH460P2 |
Pd-PowerDissipation | 480 W |
Pd-功率耗散 | 480 W |
Qg-GateCharge | 48 nC |
Qg-栅极电荷 | 48 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2890pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 12A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 (IXTH) |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 480W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarP2 |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 14 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |
系列 | IXTH460 |
通道模式 | Enhancement |