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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5457G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5457G价格参考。ON Semiconductor2N5457G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5457G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5457G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5457G 是由 ON Semiconductor 提供的一款 N 沟道硅 JFET(结型场效应晶体管)。该型号具有低噪声、高输入阻抗和良好的线性特性,因此非常适合应用于以下场景: 1. 音频信号放大 2N5457G 的低噪声特性和高输入阻抗使其成为音频前置放大器的理想选择,尤其是在需要处理微弱信号的场景中,例如麦克风信号放大或乐器拾音器信号处理。 2. 射频(RF)电路 由于其高频性能和低噪声特点,2N5457G 常用于射频电路中的小信号放大器、混频器或振荡器。它能够有效处理高频信号,适用于无线电通信设备或无线模块的设计。 3. 开关应用 作为 JFET,2N5457G 可用作模拟开关或信号路由控制器件。其高阻抗特性允许在切换过程中最小化对信号源的影响,适合用于多路复用器或多通道信号选择。 4. 传感器接口电路 高输入阻抗使 2N5457G 成为与高阻抗传感器(如光电二极管或热电偶)连接的理想选择。它可以将传感器的微弱信号进行初步放大,而不会显著加载传感器输出。 5. 实验室和测试设备 在精密测量仪器中,2N5457G 可用于构建高输入阻抗缓冲器或电压跟随器,以确保信号完整性并减少负载效应。 6. 业余电子制作和实验 由于其经典设计和广泛可用性,2N5457G 常被爱好者用于教育和实验项目,帮助理解 JFET 的工作原理及其在各种电路中的应用。 总结来说,2N5457G 凭借其优异的电气性能,特别适合于需要低噪声、高输入阻抗和线性放大的应用场景,是许多模拟电路设计中的关键元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET N-CH 25V 310MW TO92 |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N5457G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 500mV @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 2N5457GOS |
功率-最大值 | 310mW |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
标准包装 | 1,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
电阻-RDS(开) | - |