【未分类_NSVMMUN2217LT1G】封装/厂家_NSVMMUN2217LT1G中文资料_价格

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型号： NSVMMUN2217LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2217LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2217LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMUN2217LT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NSVMMUN2217LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2217LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSVMMUN2217LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 信号放大
   - NSVMMUN2217LT1G 可用于音频、射频（RF）和其他低噪声信号的放大电路中。其预偏置设计使其在特定工作点下能够稳定运行，适合需要精确增益控制的应用。
   - 常见应用包括麦克风前置放大器、无线通信设备中的小信号放大等。

 2. 开关电路
   - 作为开关元件，该晶体管可以用于数字逻辑电路或功率管理模块中。例如，在继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制中，它可以用作高效的电子开关。
   - 其预偏置特性有助于简化电路设计，减少外部偏置组件的需求。

 3. 电源管理
   - 在线性稳压器或电流调节器中，NSVMMUN2217LT1G 可用作关键的调节元件。它能够提供稳定的输出电压或电流，适用于便携式设备、传感器供电等场景。
   - 还可用于电池充电保护电路，确保充电过程的安全性和效率。

 4. 通信与网络设备
   - 在通信领域，该晶体管可用于调制解调器、收发器或其他高频信号处理模块中。其高性能和可靠性使其成为理想选择。
   - 特别是在低功耗需求的物联网（IoT）设备中，该晶体管可发挥重要作用。

 5. 消费类电子产品
   - 该型号广泛应用于家用电器、音响设备、遥控器等产品中。例如，在音频功放电路中，它可以提高音质并降低失真。
   - 还可用于电视、显示器等设备的背光控制或信号调理电路。

 6. 工业自动化
   - 在工业控制领域，NSVMMUN2217LT1G 可用于传感器信号放大、数据采集系统以及简单的驱动电路中。
   - 它的稳定性使其能够在恶劣环境下可靠工作，例如工厂自动化设备或环境监测仪器。

 总结
NSVMMUN2217LT1G 的预偏置设计简化了电路设计，降低了调试难度，同时具备良好的性能和可靠性。其应用场景涵盖消费电子、通信设备、工业控制等多个领域，尤其适合需要高精度和低功耗的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS NPN 50V SOT23
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NSVMMUN2217LT1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	35 @ 5mA，10V
供应商器件封装	*
功率-最大值	246mW
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
晶体管类型	NPN - 预偏压
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	10k
电阻器-基底(R1)(Ω)	4.7k
频率-跃迁	-