Datasheet下载- 型号： NSVMMUN2232LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2232LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2232LT3G价格参考。ON SemiconductorNSVMMUN2232LT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMUN2232LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2232LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMUN2232LT3G 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款预偏置双极性晶体管（BJT），集成单个晶体管及内置偏置电阻，适用于需要简化电路设计、提高稳定性的场景。 该器件主要应用于以下领域： 1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于信号切换、电平转换和低功耗控制电路，因其集成电阻可减少外围元件数量，缩小PCB面积。 2. 工业控制设备：在工业自动化系统中，用于传感器信号处理、继电器或LED驱动，具备良好稳定性和抗干扰能力。 3. 电源管理电路：作为开关元件用于DC-DC转换器、负载开关或电源控制器中，预偏置设计有助于加快响应速度，提高效率。 4. 汽车电子系统：如车载信息娱乐系统、车身控制模块等，符合AEC-Q101汽车级标准，能在较宽温度范围内稳定工作。 5. 通信设备：用于基站、路由器或光模块中的接口控制与信号调节，具备良好的高频响应和可靠性。 该器件采用SOT-563小型封装，适用于表面贴装工艺，适合高密度布局和自动化生产。其内置偏置电阻设计不仅简化设计流程，还提升了电路的一致性与可靠性，是中低功率开关和放大应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 50V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMMUN2232LT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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